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亚成微


陕西亚成微电子股份有限公司,成立于2003年,是一家专注于高速功率集成技术的半导体企业,于2014年1月在新三板挂牌。亚成微专注于功率集成领域的产品研发、生产,始终坚持“潜'芯'科技,承'片'品质;客户满意,持续改进”十六字质量方针,建立了完善的质量管理体系,用高品质的产品和技术赢得客户的信赖。 目前,基于“高速率功率集成技术平台”,亚成微已量产射频调制电源芯片(ET/APT)、智能配电/SSPC芯片、AC/DC电源管理芯片、照明驱动芯片、功率MOSFET、模组封装类产品等六大产品线。产品被广泛应用在特种装备、汽车、工业、无线通信以及消费类电子等领域。
图样 型号 功能 描述 订货型号 库存 参考价 下载
RM6526 RM6528 RM6526 RM6528 副边反馈SSR+QR隔离开关电源芯片 内置650V高压MOSFET 低启动电流和工作电流,内置电流模式PWM控制器,满足六级能效标准 RM6526D RM6528NS 99999+ 8.5
RM6524 RM6524 副边反馈SSR+QR隔离开关电源芯片 内置650V高压MOSFET 低启动电流和工作电流,内置电流模式PWM控制器,满足六级能效标准 RM6524NDH RM6524ND RM6524D RM6524SAL RM6524SA 99999+ 8.8
RM6523 RM6523 副边反馈SSR+QR隔离开关电源芯片 内置650V高压MOSFET 低启动电流和工作电流,内置电流模式PWM+PFM控制器,满足六级能效标准 RM6523SAL RM6523SAH RM6523SA RM6523D 99999+ 8.8
RM6522 RM6522 副边反馈SSR+QR隔离开关电源芯片 内置650V高压MOSFET 低启动电流和工作电流,内置电流模式PWM+PFM控制器,满足六级能效标准 RM6522D RM6522ND RM6522SA 99999+ 8.8
RM6520 RM6520 副边反馈SSR+QR隔离开关电源芯片 100W 外置GaN/MOS 离线式开关电源管理芯片,内置电流模式PWM+PFM控制器,支持谷底检测开通功能,满足六级能效标准 RM6520TL RM6520T RM6520S RM6520SDQ RM6520NDQ RM6520SL RM6520TN 99999+ 8.8
RM3354 RM3354 原边反馈PSR 隔离开关电源控制芯片 集成650V MOSFET,原边反馈可省去光耦和TL431 RM3354SH RM3354SA RM3354D RM3354SHE RM3354DC 99999+ 8
RM3352 RM3352 原边反馈PSR 隔离开关电源控制芯片 集成650V MOSFET,原边反馈可省去光耦和TL431 RM3352DE RM3352SE RM3352SX RM3352SL RM3352S 99999+ 8
RM3350T RM3351S RM3350T RM3351S 原边反馈PSR 隔离开关电源控制芯片 集成650V MOSFET,原边反馈可省去光耦和TL431 RM3350T RM3351SX RM3351S 99999+ 8
RM3360 RM3360 原边反馈PSR 隔离开关电源控制芯片 DCM/QR,CC/CV控制,高效率的准谐振原边反馈调节(QR-PSR)控制 RM3360TL RM3360T RM3362SE RM3362SH RM3363S RM3363SL RM3363SE RM3364SL RM3365DL RM3368SL 99999+ 8
RM9033GEC RM9033GEC 电动车灯专用线性驱动芯片 100V 2A低压MOS RM9033GEC 99999+ vip
RM9033GEA RM9033GEA 电动车灯专用线性驱动芯片 RM9033GEA 是一款高精度单通道 线性 LED 恒流驱动控制芯片,芯片内封 低压 MOS,电流范围(5mA-2000mA) RM9033,RM9033GEA 99999+ vip
RMx80R250SD RMx80R250SD N沟道 800v 9A 超结功率MOS管 N沟道 800v 18A 0.25Ω 超结功率MOSFET RMC80R250SD RME80R250SD 99999+ 8.66
RMx80R500SD RMx80R500SD N沟道 800v 9A 超结功率MOS管 N沟道 800v 9A 0.5Ω 超结功率MOSFET RMA80R500SD RMC80R500SD RMG80R500SD 99999+ 8.66
RMx80R360SD RMx80R360SD N沟道 800v 11A 超结功率MOS管 N沟道 800v 11A 0.36Ω 超结功率MOSFET RMC80R360SD RME80R360SD 99999+ 8.66
RMx80R650SD RMx80R650SD N沟道 800v 8A 超结功率MOS管 N沟道 800v 8A 0.65Ω 超结功率MOSFET RMA80R650SD RMC80R650SD 99999+ 8.66
RMx70R380SD RMx70R380SD N沟道 700v 11A 超结功率MOS管 N沟道 700v 11A 0.38Ω 超结功率MOSFET RMA70R380SD RMC70R380SD RME70R380SD 99999+ 6.66
RMx70R280SN RMx70R280SN N沟道 700v 15A 超结功率MOS管 N沟道 700v 15A 0.28Ω 超结功率MOSFET RMA70R280SN RMC70R280SN RMK70R280SN RME70R280SN 99999+ 6.66
RMx70R380SN RMx70R380SN N沟道 700v 11A 超结功率MOS管 N沟道 700v 11A 0.38Ω 超结功率MOSFET RMA70R380SN RMC70R380SN RMK70R380SN RME70R380SN 99999+ 6.66
RMx70R650SN RMx70R650SN N沟道 700v 7A 超结功率MOS管 N沟道 700v 7A 0.65Ω 超结功率MOSFET RMA70R650SN RMC70R650SN RMG70R650SN RME70R650SN 99999+ 6.66
RMx70R1K0SN RMx70R1K0SN N沟道 700v 4A 超结功率MOS管 N沟道 700v 4A 1.0Ω 超结功率MOSFET RMA70R1K0SN RMC70R1K0SN RMG70R1K0SN 99999+ 6.66
RMF65R022FD RMF65R022FD N沟道 650v 105A 超结功率MOS管 N沟道 650v 105A 0.022Ω 超结功率MOSFET RMF65R022FD 99999+ 8.66
RMF65R040FD RMF65R040FD N沟道 650v 80A 超结功率MOS管 N沟道 650v 80A 0.04Ω 超结功率MOSFET RMF65R040FD 99999+ 8.66
RMx65R1K8SN RMx65R1K8SN N沟道 650v 3A 超结功率MOS管 N沟道 650v 3A 1.8Ω 超结功率MOSFET RMA65R1K8SN RMC65R1K8SN RMP65R1K8SN 99999+ 6.66
RMF65R038SF RMF65R038SF N沟道 650v 70A 超结功率MOS管 N沟道 650v 70A 0.038Ω 超结功率MOSFET RMF65R038SF 99999+ 8.66
RMx65R099SF RMx65R099SF N沟道 650v 36A 超结功率MOS管 N沟道 650v 36A 0.099Ω 超结功率MOSFET RMF65R099SF RMC65R099SF RMB65R099SF 99999+ 8.66
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